eMRAM技術簡介
半導體技術的發展歷程可以追溯到上世紀40年代，自晶體管發明以來，集成電路的特征尺寸已經從微米級別進入納米級別。隨著摩爾定律的演進，晶體管先后經歷了平面結構、Fin場效應晶體管（FinFET）和環繞式柵極晶體管(Gate-All-Around）等階段，其密度、性能和能效不斷提高。
嵌入式存儲是邏輯制程中不可或缺的一環。其中，嵌入式閃存（eFlash）作為一種主流的非易失性嵌入式存儲技術，在40納米及以上的成熟工藝中占據主導地位。然而，隨著工藝節點的不斷演進，eFlash通過浮柵吸附/脫附電子實現數據存儲的物理機制限制了其微縮極限。業界普遍認為，28/22納米將是eFlash具有成本效益的最后一個工藝節點，因此開始持續研發新型嵌入式非易失存儲技術，如eMRAM和eRRAM等。
新型嵌入式非易失存儲技術一般基于邏輯工藝的互聯層（BEOL），具備良好的前后段兼容性，可延展至28納米及更先進工藝節點，且性能更具有競爭力，如下圖。
